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為客戶提供全面的設備和工藝解決方案

• 薄膜沉積 • 薄膜刻蝕 • 定制設備

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AVP 電子束蒸鍍機 SYSTEM
-制備高性能、高可靠性功能薄膜的關鍵設備
-廣泛用于高熔點、高沸點材料處理，如蒸發鎢、鉬、鉭、氧化鋁等材料
-附著力強、結構致密的高質量薄膜
-實踐證明的可靠、低成本、高產能的薄膜沉積系統和工藝
-制備高性能、高可靠性功能薄膜的關鍵設備
-廣泛用于高熔點、高沸點材料處理，如蒸發鎢、鉬、鉭、氧化鋁等材料
-附著力強、結構致密的高質量薄膜
-實踐證明的可靠、低成本、高產能的薄膜沉積系統和工藝
AVP IBE System
- 廣泛適用所有材料刻蝕，包括RIE難以刻蝕的Au、Pt、Mo等難熔金屬、Fe、Co、Ni等磁性材料、陶瓷、氧化物、多層膜、傾斜光柵等。
- 成熟、可靠、低成本、高產能、7/24連續運行的薄膜刻蝕系統
- 歐美工業生產驗證的、多種成熟的薄膜刻蝕工藝
- 杰出的薄膜刻蝕均勻性和重復性
- 廣泛適用所有材料刻蝕，包括RIE難以刻蝕的Au、Pt、Mo等難熔金屬、Fe、Co、Ni等磁性材料、陶瓷、氧化物、多層膜、傾斜光柵等。
- 成熟、可靠、低成本、高產能、7/24連續運行的薄膜刻蝕系統
- 歐美工業生產驗證的、多種成熟的薄膜刻蝕工藝
- 杰出的薄膜刻蝕均勻性和重復性
- 純物理刻蝕，采用惰性氣體為工藝氣體，環保、無污染，應用廣泛
AVP HR PVD System
-高濃度離子輔助的傾角濺射（Directional Sputtering）
-高速率反應濺射，如Al2O3的沉積速率 > 1nm/s
-優異的薄膜厚度均勻性（1σ<1%），裹覆率（Step Coverage ~50%）
-基片背面氦氣冷卻，基片溫度（<50°C）
-高靶材使用率（>8
-高濃度離子輔助的傾角濺射（Directional Sputtering）
-高速率反應濺射，如Al2O3的沉積速率 > 1nm/s
-優異的薄膜厚度均勻性（1σ<1%），裹覆率（Step Coverage ~50%）
-基片背面氦氣冷卻，基片溫度（<50°C）
-高靶材使用率（>80%）
"支持與服務
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"關于艾微普
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專注打造世界先進水平的高端微納器件、半導體、及新能源加工設備
公司由美國硅谷企業家團隊與國內著名上市企業天通公司(TDG)合作，在浙江海寧創立。公司聚集了多位海內外資深微納加工及半導體設備、工藝、材料專家，專注打造世界先進水平的高端微納器件、半導體、及新能源加工設備。

公司的核心技術和產品包括物理氣相沉積/磁控濺射（PVD）、離子束刻蝕機（IBE）、反應離子刻蝕機（RIE）、電子束蒸鍍機等系列MEMS、半導體、新能源器件制造專用設備。公司自創立以來，已經獲得幾十項國家專利。
公司總部
中國浙江省嘉興市海寧市海昌街道芯中路6號16幢
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