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      為客戶提供全面的設(shè)備和工藝解決方案
      • 薄膜沉積 • 薄膜刻蝕 • 定制設(shè)備
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      "產(chǎn)品中心
      為客戶提供全面的設(shè)備和工藝解決方案
      AVP IBE System
      - 廣泛適用所有材料刻蝕，包括RIE難以刻蝕的Au、Pt、Mo等難熔金屬、Fe、Co、Ni等磁性材料、陶瓷、氧化物、多層膜、傾斜光柵等。 
      
-  成熟、可靠、低成本、高產(chǎn)能、7/24連續(xù)運(yùn)行的薄膜刻蝕系統(tǒng)  
      
- 歐美工業(yè)生產(chǎn)驗(yàn)證的、多種成熟的薄膜刻蝕工藝  
      
- 杰出的薄膜刻蝕均勻性和重復(fù)性
      - 廣泛適用所有材料刻蝕，包括RIE難以刻蝕的Au、Pt、Mo等難熔金屬、Fe、Co、Ni等磁性材料、陶瓷、氧化物、多層膜、傾斜光柵等。 
      
-  成熟、可靠、低成本、高產(chǎn)能、7/24連續(xù)運(yùn)行的薄膜刻蝕系統(tǒng)  
      
- 歐美工業(yè)生產(chǎn)驗(yàn)證的、多種成熟的薄膜刻蝕工藝  
      
- 杰出的薄膜刻蝕均勻性和重復(fù)性 
      
- 純物理刻蝕，采用惰性氣體為工藝氣體，環(huán)保、無(wú)污染，應(yīng)用廣泛
      AVP HR PVD System
      -高濃度離子輔助的傾角濺射（Directional Sputtering）
      
-高速率反應(yīng)濺射，如Al2O3的沉積速率 > 1nm/s
      
-優(yōu)異的薄膜厚度均勻性（1σ<1%），裹覆率（Step Coverage ~50%）
      
-基片背面氦氣冷卻，基片溫度（<50°C）
      
-高靶材使用率（>8
      -高濃度離子輔助的傾角濺射（Directional Sputtering）
      
-高速率反應(yīng)濺射，如Al2O3的沉積速率 > 1nm/s
      
-優(yōu)異的薄膜厚度均勻性（1σ<1%），裹覆率（Step Coverage ~50%）
      
-基片背面氦氣冷卻，基片溫度（<50°C）
      
-高靶材使用率（>80%）
      AVP 4T PVD SYSTEM
      -各種薄膜、精密光學(xué)薄膜，及高溫（Max. 1000℃）
沉積的解決方案
      
-各種成熟的、2-8英寸的RF、DC、Pulsed DC、反應(yīng)等薄膜沉積工藝
      
-成熟、可靠、低成本、高產(chǎn)能、7/24連續(xù)運(yùn)行的薄膜沉積系統(tǒng)
      
-廣泛應(yīng)用于歐美光學(xué)器件、MEMS、存儲(chǔ)等工業(yè)界的薄膜沉積
      -各種薄膜、精密光學(xué)薄膜，及高溫（Max. 1000℃）
沉積的解決方案
      
-各種成熟的、2-8英寸的RF、DC、Pulsed DC、反應(yīng)等薄膜沉積工藝
      
-成熟、可靠、低成本、高產(chǎn)能、7/24連續(xù)運(yùn)行的薄膜沉積系統(tǒng)
      
-廣泛應(yīng)用于歐美光學(xué)器件、MEMS、存儲(chǔ)等工業(yè)界的薄膜沉積
      "支持與服務(wù)
      為客戶提供全面的設(shè)備和工藝解決方案
      "關(guān)于艾微普
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      專注打造世界先進(jìn)水平的高端微納器件、半導(dǎo)體、及新能源加工設(shè)備
      艾微普公司是基于美國(guó)硅谷科技技術(shù)團(tuán)隊(duì)成立的半導(dǎo)體設(shè)備公司，在浙江海寧創(chuàng)立。公司聚集了多位海內(nèi)外資深微納加工及半導(dǎo)體設(shè)備、工藝、材料專家，專注打造世界先進(jìn)水平的高端微納器件、半導(dǎo)體、及新能源加工設(shè)備。

      
公司的核心技術(shù)和產(chǎn)品包括物理氣相沉積/磁控濺射（PVD）、離子束刻蝕機(jī)（IBE）、反應(yīng)離子刻蝕機(jī)（RIE）、電子束蒸鍍機(jī)等系列MEMS、半導(dǎo)體、新能源器件制造專用設(shè)備。公司自創(chuàng)立以來(lái)，已經(jīng)獲得幾十項(xiàng)國(guó)家專利。
      公司總部
      中國(guó)浙江省嘉興市海寧市海寧大道8號(hào)科技綠洲8號(hào)樓1層
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